Name: IPT020N10N5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT020N10N5ATMA1TR-ND
Price: 4.7124 EUR
Availability: InStock

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IPT020N10N5ATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IPT020N10N5ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IPT020N10N5ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IPT020N10N5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPT020N10N5ATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 31A/260A 8HSOF
Standardlieferzeit des Herstellers	18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 31A (Ta), 260A (Tc) 273W (Tc) Oberflächenmontage PG-HSOF-8-1
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPT020N10N5ATMA1 Modelle

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 5
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	31A (Ta), 260A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	6V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	2mOhm bei 150A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,8V bei 202µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	152 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	11000 pF @ 50 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	273W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-HSOF-8-1
Gehäuse / Hülle	8-PowerSFN
Basis-Produktnummer	IPT020

Stückpreis ohne MwSt.:	3,96000 €
Stückpreis mit MwSt.:	4,71240 €