Name: IPT010N08NM5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT010N08NM5ATMA1TR-ND
Price: 8.3062 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPT010N08NM5ATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IPT010N08NM5ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IPT010N08NM5ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IPT010N08NM5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPT010N08NM5ATMA1
Beschreibung	TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Standardlieferzeit des Herstellers	18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 80 V 43A (Ta), 425A (Tc) 3,8W (Ta), 375W (Tc) Oberflächenmontage PG-HSOF-8
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPT010N08NM5ATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	80 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	43A (Ta), 425A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	6V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1,05mOhm bei 150A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,8V bei 280µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	223 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	16000 pF @ 40 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3,8W (Ta), 375W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-HSOF-8
Gehäuse / Hülle	8-PowerSFN
Basis-Produktnummer	IPT010N