Name: IPN80R1K4P7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPN80R1K4P7ATMA1TR-ND
Price: 1.6898 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPN80R1K4P7ATMA1
DigiKey-Teilenr.	IPN80R1K4P7ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IPN80R1K4P7ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) IPN80R1K4P7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPN80R1K4P7ATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 800V 4A SOT223
Standardlieferzeit des Herstellers	48 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 800 V 4 A (Tc) 7W (Tc) Oberflächenmontage PG-SOT223
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPN80R1K4P7ATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 3,5V bei 70µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 10 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™ P7	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 250 pF @ 500 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 7W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-SOT223
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 4 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-261-4, TO-261AA
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer IPN80R1
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 1,4Ohm bei 1,4A, 10V