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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
IPI60R099CPAAKSA1 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | IPI60R099CPAAKSA1-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IPI60R099CPAAKSA1 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 31A TO262-3 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 600 V 31 A (Tc) 255W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO262-3 |
Datenblatt | Datenblatt |
Produkteigenschaften
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Leere Attribute anzeigen
Kategorie | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 80 nC @ 10 V |
Herst. | Vgs (Max.) ±20V |
Serie | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2800 pF @ 100 V |
Verpackung Stange | Verlustleistung (max.) 255W (Tc) |
Status der Komponente Obsolet | Betriebstemperatur -40°C bis 150°C (TJ) |
FET-Typ | Klasse Automobiltechnik |
Technologie | Qualifizierung AEC-Q101 |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V | Montagetyp Durchkontaktierung |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO262-3 |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Gehäuse / Hülle |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 105mOhm bei 18A, 10V | Basis-Produktnummer |
Vgs(th) (max.) bei Id 3,5V bei 1,2mA |
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