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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
IPI045N10N3GXKSA1 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | IPI045N10N3GXKSA1-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IPI045N10N3GXKSA1 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 23 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 100 V 100 A (Tc) 214W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO262-3 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IPI045N10N3GXKSA1 Modelle |
Produkteigenschaften
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Leere Attribute anzeigen
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 3,5V bei 150µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 117 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±20V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 8410 pF @ 50 V |
Status der Komponente Aktiv | Verlustleistung (max.) 214W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V | Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO262-3 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 6V, 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 4,5mOhm bei 100A, 10V |
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Stange
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 3,79000 € | 3,79 € |
| 50 | 1,93900 € | 96,95 € |
| 100 | 1,75930 € | 175,93 € |
| 500 | 1,44466 € | 722,33 € |
| 1.000 | 1,34361 € | 1.343,61 € |
| 2.000 | 1,25867 € | 2.517,34 € |
| 5.000 | 1,21865 € | 6.093,25 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 3,79000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 4,51010 € |
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