Name: IPDQ60R022S7XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPDQ60R022S7XTMA1TR-ND
Price: 10.5196 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPDQ60R022S7XTMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IPDQ60R022S7XTMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IPDQ60R022S7XTMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IPDQ60R022S7XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPDQ60R022S7XTMA1
Beschreibung	HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
Standardlieferzeit des Herstellers	17 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 24 A (Tc) 416W (Tc) Oberflächenmontage PG-HDSOP-22-1
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPDQ60R022S7XTMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™ S7
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	24 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	12V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	22mOhm bei 23A, 12V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,5V bei 1,44mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	150 nC @ 12 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	5639 pF @ 300 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	416W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-HDSOP-22-1
Gehäuse / Hülle	22-poliges PowerBSOP-Modul
Basis-Produktnummer	IPDQ60R