Name: IPBE65R099CFD7AATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPBE65R099CFD7AATMA1TR-ND
Price: 6.0928 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPBE65R099CFD7AATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IPBE65R099CFD7AATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IPBE65R099CFD7AATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IPBE65R099CFD7AATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPBE65R099CFD7AATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 24A TO263-7
Standardlieferzeit des Herstellers	17 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 24 A (Tc) 127W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO263-7-3-10
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPBE65R099CFD7AATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™ CFD7A
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	24 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	99mOhm bei 12,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,5V bei 630µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	53 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2513 pF @ 400 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	127W (Tc)
Betriebstemperatur	-40°C bis 150°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO263-7-3-10
Gehäuse / Hülle	TO-263-7, D2PAK (6 Pins + Lasche), TO-263CB
Basis-Produktnummer	IPBE65