Name: IPB70N10S312ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB70N10S312ATMA2TR-ND
Price: 1.31816 EUR
Availability: OutOfStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPB70N10S312ATMA2
DigiKey-Teilenr.	448-IPB70N10S312ATMA2TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPB70N10S312ATMA2
Beschreibung	MOSFET_(75V 120V(
Standardlieferzeit des Herstellers	9 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 70 A (Tc) 125W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO263-3-2
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPB70N10S312ATMA2 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	70 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	11,6mOhm bei 70A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 83µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	66 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	4355 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	125W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO263-3-2
Gehäuse / Hülle	TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB

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Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)