Name: IPB65R660CFDAATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB65R660CFDAATMA1TR-ND
Price: 2.6775 EUR
Availability: InStock

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IPB65R660CFDAATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IPB65R660CFDAATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IPB65R660CFDAATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IPB65R660CFDAATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPB65R660CFDAATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 6A D2PAK
Standardlieferzeit des Herstellers	17 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 6 A (Tc) 62,5W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO263-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPB65R660CFDAATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 20 nC @ 10 V
Herst. Infineon Technologies	Vgs (Max.) ±20V
Serie CoolMOS™	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 543 pF @ 100 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Verlustleistung (max.) 62,5W (Tc)
Status der Komponente Aktiv	Betriebstemperatur -40°C bis 150°C (TJ)
FET-Typ N-Kanal	Klasse Automobiltechnik
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Qualifizierung AEC-Q101
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 6 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO263-3
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Gehäuse / Hülle TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 660mOhm bei 3,2A, 10V	Basis-Produktnummer IPB65R660
Vgs(th) (max.) bei Id 4,5V bei 200µA

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