Name: IPB65R190C7ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB65R190C7ATMA2TR-ND
Price: 3.9032 EUR
Availability: InStock

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IPB65R190C7ATMA2
DigiKey-Teilenr.	IPB65R190C7ATMA2TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IPB65R190C7ATMA2CT-ND - Gurtabschnitt (CT) IPB65R190C7ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPB65R190C7ATMA2
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 13A TO263-3
Standardlieferzeit des Herstellers	26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 13 A (Tc) 72W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO263-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPB65R190C7ATMA2 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 290µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 23 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™ C7	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1150 pF @ 400 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 72W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO263-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 13 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer IPB65R190
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 190mOhm bei 5,7A, 10V