Name: IPB60R099C7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB60R099C7ATMA1TR-ND
Price: 6.2356 EUR
Availability: InStock

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IPB60R099C7ATMA1
DigiKey-Teilenr.	IPB60R099C7ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IPB60R099C7ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) IPB60R099C7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPB60R099C7ATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 22A TO263-3
Standardlieferzeit des Herstellers	17 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 22 A (Tc) 110W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO263-3-2
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPB60R099C7ATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 490µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 42 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™ C7	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1819 pF @ 400 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 110W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO263-3-2
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 22 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer IPB60R099
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 99mOhm bei 9,7A, 10V