Name: IPB100N12S305ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB100N12S305ATMA1TR-ND
Price: 6.2951 EUR
Availability: InStock

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IPB100N12S305ATMA1
DigiKey-Teilenr.	IPB100N12S305ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IPB100N12S305ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) IPB100N12S305ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPB100N12S305ATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 120V 100A TO263-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 120 V 100 A (Tc) 300W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO263-3-1
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 185 nC @ 10 V
Herst. Infineon Technologies	Vgs (Max.) ±20V
Serie OptiMOS™	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 11570 pF @ 25 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Verlustleistung (max.) 300W (Tc)
Status der Komponente Nicht für Neukonstruktionen	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
FET-Typ N-Kanal	Klasse Automobiltechnik
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Qualifizierung AEC-Q101
Drain-Source-Spannung (Vdss) 120 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 100 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO263-3-1
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Gehäuse / Hülle TO-263-4, D2PAK (3 Pins + Lasche), TO-263AA
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 5,1mOhm bei 100A, 10V	Basis-Produktnummer IPB100
Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 240µA