Name: IPB038N12N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB038N12N3GATMA1TR-ND
Price: 5.5454 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPB038N12N3GATMA1
DigiKey-Teilenr.	IPB038N12N3GATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IPB038N12N3GATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) IPB038N12N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPB038N12N3GATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 120V 120A D2PAK
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 120 V 120 A (Tc) 300W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO263-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPB038N12N3GATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 270µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 211 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 13800 pF @ 60 V
Status der Komponente Nicht für Neukonstruktionen	Verlustleistung (max.) 300W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 120 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO263-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 120 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer IPB038
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 3,8mOhm bei 100A, 10V