Name: IPB031N08N5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB031N08N5ATMA1TR-ND
Price: 4.1412 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPB031N08N5ATMA1
DigiKey-Teilenr.	IPB031N08N5ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IPB031N08N5ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) IPB031N08N5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPB031N08N5ATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Standardlieferzeit des Herstellers	27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 80 V 120 A (Tc) 167W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO263-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPB031N08N5ATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 3,8V bei 108µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 87 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 6240 pF @ 40 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 167W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO263-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 120 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 6V, 10V	Basis-Produktnummer IPB031
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 3,1mOhm bei 100A, 10V