Name: IPB015N06NF2SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB015N06NF2SATMA1TR-ND
Price: 3.6176 EUR
Availability: InStock

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IPB015N06NF2SATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IPB015N06NF2SATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IPB015N06NF2SATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IPB015N06NF2SATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPB015N06NF2SATMA1
Beschreibung	TRENCH 40<-<100V
Standardlieferzeit des Herstellers	17 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 37A (Ta), 195A (Tc) 3,8W (Ta), 250W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO263-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPB015N06NF2SATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 3,3V bei 186µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 233 nC @ 10 V
Serie StrongIRFET™2	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 10500 pF @ 30 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 3,8W (Ta), 250W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO263-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 37A (Ta), 195A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 6V, 10V	Basis-Produktnummer IPB015
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 1,5mOhm bei 100A, 10V