Name: IPA65R190CFDXKSA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPA65R190CFDXKSA2-ND
Price: 3.9508 EUR
Availability: InStock

N-Kanal 650 V 17,5 A (Tc) 34W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-FP

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPA65R190CFDXKSA2
DigiKey-Teilenr.	448-IPA65R190CFDXKSA2-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPA65R190CFDXKSA2
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220
Standardlieferzeit des Herstellers	27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 17,5 A (Tc) 34W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-FP
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPA65R190CFDXKSA2 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4,5V bei 700µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 68 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™ CFD2	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Stange	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1850 pF @ 100 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 34W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO220-FP
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 17,5 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-220-3 voller Pack
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer IPA65R
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 190mOhm bei 7,3A, 10V

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Stange

Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	3,32000 €	3,32 €
50	1,68000 €	84,00 €
100	1,52060 €	152,06 €
500	1,24120 €	620,60 €
1.000	1,15143 €	1.151,43 €
2.000	1,07598 €	2.151,96 €
5.000	1,01924 €	5.096,20 €

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