N-Kanal 650 V 10 A (Tc) 32W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-FP
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IPA65R125C7XKSA1

DigiKey-Teilenr.
IPA65R125C7XKSA1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IPA65R125C7XKSA1
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 10A TO220-FP
Standardlieferzeit des Herstellers
17 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 10 A (Tc) 32W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-FP
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IPA65R125C7XKSA1 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 440µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
35 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1670 pF @ 400 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
32W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO220-FP
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
125mOhm bei 8,9A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Auf Lager: 212
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Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
14,40000 €4,40 €
502,28060 €114,03 €
1002,07540 €207,54 €
5001,71574 €857,87 €
1.0001,60028 €1.600,28 €
2.0001,50324 €3.006,48 €
5.0001,49019 €7.450,95 €
Standardverpackung des Herstellers
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Stückpreis mit MwSt.:5,23600 €