N-Kanal 650 V 8 A (Tc) 26W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-FP
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
N-Kanal 650 V 8 A (Tc) 26W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-FP
Infineon 600 V CoolMOS MOSFET Family | Digi-Key Daily

IPA60R170CFD7XKSA1

DigiKey-Teilenr.
IPA60R170CFD7XKSA1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IPA60R170CFD7XKSA1
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 8A TO220
Standardlieferzeit des Herstellers
20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 8 A (Tc) 26W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-FP
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IPA60R170CFD7XKSA1 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 300µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
28 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1199 pF @ 400 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
26W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO220-FP
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
170mOhm bei 6A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
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Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
12,97000 €2,97 €
501,48680 €74,34 €
1001,34280 €134,28 €
5001,09048 €545,24 €
1.0001,00938 €1.009,38 €
2.0000,94121 €1.882,42 €
5.0000,87444 €4.372,20 €
Standardverpackung des Herstellers
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