PG-TO220-FP
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
PG-TO220-FP

IPA60R170CFD7XKSA1

DigiKey-Teilenr.
IPA60R170CFD7XKSA1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IPA60R170CFD7XKSA1
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 8A TO220
Standardlieferzeit des Herstellers
17 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 8 A (Tc) 26W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-FP
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IPA60R170CFD7XKSA1 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
170mOhm bei 6A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 300µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1199 pF @ 400 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
26W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO220-FP
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
Product Questions and Answers

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Stange
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501,39540 €69,77 €
1001,28280 €128,28 €
5001,10024 €550,12 €
1.0000,96670 €966,70 €
2.0000,93082 €1.861,64 €
Standardverpackung des Herstellers
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Stückpreis mit MwSt.:3,36770 €