Name: IMT65R50M2HXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMT65R50M2HXUMA1TR-ND
Price: 7.6874 EUR
Availability: InStock

Neues Produkt

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IMT65R50M2HXUMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IMT65R50M2HXUMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IMT65R50M2HXUMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IMT65R50M2HXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IMT65R50M2HXUMA1
Beschreibung	SICFET N-CH 650V 48.1A PG-HSOF
Standardlieferzeit des Herstellers	13 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 48,1A (Tc) 237W (Tc) Oberflächenmontage PG-HSOF-8-2
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IMT65R50M2HXUMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™ G2
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	48,1A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	15V, 18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	62mOhm bei 18,2A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id	5,6V bei 3,7mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	22 nC @ 18 V
Vgs (Max.)	+25V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	790 pF @ 400 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	237W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-HSOF-8-2
Gehäuse / Hülle	8-PowerSFN

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