Name: IMDQ75R090M1HXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMDQ75R090M1HXUMA1TR-ND
Price: 6.4974 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IMDQ75R090M1HXUMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IMDQ75R090M1HXUMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IMDQ75R090M1HXUMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IMDQ75R090M1HXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IMDQ75R090M1HXUMA1
Beschreibung	IMDQ75R090M1HXUMA1
Standardlieferzeit des Herstellers	23 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 750 V 24A (Tj) 128W (Tc) Oberflächenmontage PG-HDSOP-22-1
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IMDQ75R090M1HXUMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	750 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	24A (Tj)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	15V, 20V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	83mOhm bei 7,4A, 20V
Vgs(th) (max.) bei Id	5,6V bei 2,6mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	15 nC @ 18 V
Vgs (Max.)	+20V, -2V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	542 pF @ 500 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	128W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-HDSOP-22-1
Gehäuse / Hülle	22-poliges PowerBSOP-Modul