N-Kanal 1200 V 64 A (Tc) 326W (Tc) Oberflächenmontage PG-HDSOP-22-3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
N-Kanal 1200 V 64 A (Tc) 326W (Tc) Oberflächenmontage PG-HDSOP-22-3
CoolSiC™ G2 1200 V Silicon Carbide Discrete MOSFETs from Infineon PIO | DigiKey

IMCQ120R034M2HXTMA1

DigiKey-Teilenr.
448-IMCQ120R034M2HXTMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
448-IMCQ120R034M2HXTMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT)
448-IMCQ120R034M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IMCQ120R034M2HXTMA1
Beschreibung
SICFET N-CH 1200V 64A 22PWRBSOP
Standardlieferzeit des Herstellers
39 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 1200 V 64 A (Tc) 326W (Tc) Oberflächenmontage PG-HDSOP-22-3
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IMCQ120R034M2HXTMA1 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
15V, 18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
34mOhm bei 20,4A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id
5,1V bei 6,4mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
48.7 nC @ 18 V
Vgs (Max.)
+23V, -7V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1920 pF @ 800 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
326W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-HDSOP-22-3
Gehäuse / Hülle
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Gurtabschnitt (CT) & Digi-Reel®
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Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
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1.5004,18559 €6.278,39 €
Standardverpackung des Herstellers
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