Name: IMBG65R020M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG65R020M2HXTMA1TR-ND
Price: 13.9349 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IMBG65R020M2HXTMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IMBG65R020M2HXTMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IMBG65R020M2HXTMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IMBG65R020M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IMBG65R020M2HXTMA1
Beschreibung	SILICON CARBIDE MOSFET
Standardlieferzeit des Herstellers	23 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 91 A (Tc) 326W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO263-7-12
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™ Gen 2
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	91 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	15V, 20V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	24mOhm bei 46,9A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id	5,6V bei 9,5mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	57 nC @ 18 V
Vgs (Max.)	+23V, -7V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2038 pF @ 400 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	326W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO263-7-12
Gehäuse / Hülle	TO-263-8, D2PAK (7 Pins + Lasche), TO-263CA
Basis-Produktnummer	IMBG65R020