Name: IMBF170R650M1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBF170R650M1XTMA1TR-ND
Price: 6.188 EUR
Availability: InStock

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IMBF170R650M1XTMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IMBF170R650M1XTMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IMBF170R650M1XTMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IMBF170R650M1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IMBF170R650M1XTMA1
Beschreibung	SICFET N-CH 1700V 7.4A TO263-7
Standardlieferzeit des Herstellers	49 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1700 V 7,4 A (Tc) 88W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO263-7-13
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IMBF170R650M1XTMA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 5,7V bei 1,7mA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 8 nC @ 12 V
Serie CoolSiC™	Vgs (Max.) +20V, -10V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 422 pF @ 1000 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 88W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie SiCFET (Siliziumkarbid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1700 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO263-7-13
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 7,4 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-263-8, D2PAK (7 Pins + Lasche), TO-263CA
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 12V, 15V	Basis-Produktnummer IMBF170
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 650mOhm bei 1,5A, 15V