Name: IFS100B12N3E4B31BOSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IFS100B12N3E4B31BOSA1-ND
Price: 105.6839 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IFS100B12N3E4B31BOSA1
DigiKey-Teilenr.	IFS100B12N3E4B31BOSA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IFS100B12N3E4B31BOSA1
Beschreibung	IGBT MOD 1200V 200A 515W MOD
Standardlieferzeit des Herstellers	10 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	IGBT Modul Trench Feldstopp Vollbrücke 1200 V 200 A 515 W Chassisbefestigung Modul
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs IGBT-Module
Hersteller	Infineon Technologies
Serie	MIPAQ™
Verpackung	Tablett
Status der Komponente	Aktiv
IGBT-Typ	Trench Feldstopp
Konfiguration	Vollbrücke
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	1200 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	200 A
Leistung - Max.	515 W
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic	2,1V bei 15V, 100A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)	1 mA
Eingangskapazität (Cies) bei Vce	6.3 nF @ 25 V
Eingang	Standard
NTC-Thermistor	Ja
Betriebstemperatur	-40°C bis 150°C
Montagetyp	Chassisbefestigung
Gehäuse / Hülle	Modul
Gehäusetyp vom Lieferanten	Modul
Basis-Produktnummer	IFS100

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