Name: IAUTN08S5N012LATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUTN08S5N012LATMA1TR-ND
Price: 7.0805 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IAUTN08S5N012LATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IAUTN08S5N012LATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IAUTN08S5N012LATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IAUTN08S5N012LATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IAUTN08S5N012LATMA1
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 80V 300A PG-HSOF
Standardlieferzeit des Herstellers	18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 80V 300A (Tj) 375W (Tc) Oberflächenmontage PG-HSOF-8-2
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IAUTN08S5N012LATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 5
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration	2 N-Kanäle, gemeinsamer Drain-Anschluss, gemeinsamer Source-Anschluss
FET-Merkmal	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	80V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	300A (Tj)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1,15mOhm bei 100A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,3V bei 275µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	24nC bei 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	15340pF bei 40V
Leistung - Max.	375W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	8-PowerSFN
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-HSOF-8-2