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Marketplace-Produkt
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
NXV08A170DB2 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 488-NXV08A170DB2-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | NXV08A170DB2 |
Beschreibung | MOSFET 2N-CH 80V 200A APM12-CBA |
Standardlieferzeit des Herstellers | 45 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | MOSFETs - Arrays 80V 200A (Tj) Durchkontaktierung APM12-CBA |
Datenblatt | Datenblatt |
Produkteigenschaften
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Hersteller | onsemi | |
Serie | - | |
Verpackung | Tablett | |
Status der Komponente | Aktiv | |
Technologie | MOSFET (Metalloxid) | |
Konfiguration | 2 N-Kanal (Halbbrücke) | |
FET-Merkmal | - | |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 80V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | 200A (Tj) | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 0,99mOhm bei 80A, 10V, 1,35mOhm bei 80A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 4V bei 250µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 195nC bei 10V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 14000pF bei 40V | |
Leistung - Max. | - | |
Betriebstemperatur | 175°C (TJ) | |
Klasse | Automobiltechnik | |
Qualifizierung | AEC-Q100 | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäuse / Hülle | 12-PowerDIP-Modul (1,118", 28,40mm) | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | APM12-CBA |
Auf Lager: 230
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Menge
Alle Preise in EUR
Tablett
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 17,21000 € | 17,21 € |
| 10 | 12,32600 € | 123,26 € |
| 288 | 9,71663 € | 2.798,39 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 17,21000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 20,47990 € |
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