Name: IAUT300N08S5N012ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: IAUT300N08S5N012ATMA2TR-ND
Price: 5.117 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IAUT300N08S5N012ATMA2
DigiKey-Teilenr.	IAUT300N08S5N012ATMA2TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IAUT300N08S5N012ATMA2CT-ND - Gurtabschnitt (CT) IAUT300N08S5N012ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IAUT300N08S5N012ATMA2
Beschreibung	MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Standardlieferzeit des Herstellers	18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 80 V 300 A (Tc) 375W (Tc) Oberflächenmontage PG-HSOF-8-1
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IAUT300N08S5N012ATMA2 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	80 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	300 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	6V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1,2mOhm bei 100A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,8V bei 275µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	231 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	16250 pF @ 40 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	375W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-HSOF-8-1
Gehäuse / Hülle	8-PowerSFN
Basis-Produktnummer	IAUT300