Name: IAUAN04S7N008AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUAN04S7N008AUMA1TR-ND
Price: 3.0583 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IAUAN04S7N008AUMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IAUAN04S7N008AUMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IAUAN04S7N008AUMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IAUAN04S7N008AUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IAUAN04S7N008AUMA1
Beschreibung	IAUAN04S7N008AUMA1
Standardlieferzeit des Herstellers	18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 40 V 40A (Ta), 290A (Tj) 133W (Tc) Oberflächenmontage PG-HSOF-5-2
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IAUAN04S7N008AUMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 7
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	40A (Ta), 290A (Tj)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	7V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	0,82mOhm bei 90A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3V bei 60µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	78 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	5410 pF @ 20 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	133W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-HSOF-5-2
Gehäuse / Hülle	5-PowerSFN