Name: IAUA200N04S5N010AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IAUA200N04S5N010AUMA1TR-ND
Price: 3.2963 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IAUA200N04S5N010AUMA1
DigiKey-Teilenr.	IAUA200N04S5N010AUMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IAUA200N04S5N010AUMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) IAUA200N04S5N010AUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IAUA200N04S5N010AUMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 40V 200A 5HSOF
Standardlieferzeit des Herstellers	18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 40 V 200 A (Tc) 167W (Tc) Oberflächenmontage PG-HSOF-5-1
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IAUA200N04S5N010AUMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 5
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	200 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	7V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1mOhm bei 100A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,4V bei 100µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	132 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	7650 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	167W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-HSOF-5-1
Gehäuse / Hülle	5-PowerSFN
Basis-Produktnummer	IAUA200