Name: GS66502BMRXUSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-GS66502BMRXUSA1TR-ND
Price: 11.9952 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

GS66502BMRXUSA1
DigiKey-Teilenr.	448-GS66502BMRXUSA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-GS66502BMRXUSA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-GS66502BMRXUSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	GS66502BMRXUSA1
Beschreibung	GS66502B-MR
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 7,5 A (Tc) Oberflächenmontage
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Nur verfügbar bis
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	GaNFET (Galliumnitrid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	7,5 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	6V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	260mOhm bei 2,25A, 6V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,6V bei 1,75mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	1.6 nC @ 6 V
Vgs (Max.)	+7V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	60 pF @ 400 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	-
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	-
Gehäuse / Hülle	3-SMD, ohne Anschlüsse