Name: FF200R12KT4HOSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: FF200R12KT4HOSA1-ND
Price: 93.4983 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

FF200R12KT4HOSA1
DigiKey-Teilenr.	FF200R12KT4HOSA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	FF200R12KT4HOSA1
Beschreibung	IGBT MOD 1200V 320A 1100W MOD
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	IGBT Modul Trench Feldstopp Halbbrücke 1200 V 320 A 1100 W Chassisbefestigung Modul
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs IGBT-Module
Hersteller	Infineon Technologies
Serie	C
Verpackung	Tablett
Status der Komponente	Aktiv
IGBT-Typ	Trench Feldstopp
Konfiguration	Halbbrücke
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	1200 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	320 A
Leistung - Max.	1100 W
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic	2,15V bei 15V, 200A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)	5 mA
Eingangskapazität (Cies) bei Vce	14 nF @ 25 V
Eingang	Standard
NTC-Thermistor	Nein
Betriebstemperatur	-40°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Chassisbefestigung
Gehäuse / Hülle	Modul
Gehäusetyp vom Lieferanten	Modul
Basis-Produktnummer	FF200R12

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