Name: FF200R12KE3B2HOSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-FF200R12KE3B2HOSA1-ND
Price: 119.5355 EUR
Availability: InStock

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FF200R12KE3B2HOSA1
DigiKey-Teilenr.	448-FF200R12KE3B2HOSA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	FF200R12KE3B2HOSA1
Beschreibung	IGBT MOD 1200V 295A 1050W MOD
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	IGBT Modul Halbbrücke 1200 V 295 A 1050 W Chassisbefestigung Modul
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs IGBT-Module
Hersteller	Infineon Technologies
Serie	-
Verpackung	Tablett
Status der Komponente	Aktiv
IGBT-Typ	-
Konfiguration	Halbbrücke
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	1200 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	295 A
Leistung - Max.	1050 W
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic	2,15V bei 15V, 200A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)	5 mA
Eingangskapazität (Cies) bei Vce	14 nF @ 25 V
Eingang	Standard
NTC-Thermistor	Nein
Betriebstemperatur	-40°C bis 125°C
Montagetyp	Chassisbefestigung
Gehäuse / Hülle	Modul
Gehäusetyp vom Lieferanten	Modul
Basis-Produktnummer	FF200R12

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