Name: BSZ067N06LS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ067N06LS3GATMA1TR-ND
Price: 1.6184 EUR
Availability: InStock

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BSZ067N06LS3GATMA1
DigiKey-Teilenr.	BSZ067N06LS3GATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) BSZ067N06LS3GATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) BSZ067N06LS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	BSZ067N06LS3GATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 14A/79A 8TSDSON
Standardlieferzeit des Herstellers	14 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 14A (Ta), 79A (Tc) 2,1W (Ta), 69W (Tc) Oberflächenmontage PG-TSDSON-8
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	BSZ067N06LS3GATMA1 Modelle

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 3
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	14A (Ta), 79A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	6,7mOhm bei 20A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,2V bei 35µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	67 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	5100 pF @ 30 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2,1W (Ta), 69W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TSDSON-8
Gehäuse / Hülle	8-PowerVDFN
Basis-Produktnummer	BSZ067

Stückpreis ohne MwSt.:	1,36000 €
Stückpreis mit MwSt.:	1,61840 €