Name: BSS126IXTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSS126IXTSA1TR-ND
Price: 0.3451 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

BSS126IXTSA1
DigiKey-Teilenr.	448-BSS126IXTSA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-BSS126IXTSA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-BSS126IXTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	BSS126IXTSA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Standardlieferzeit des Herstellers	10 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal, Verarmungsmodus 600 V 21mA (Ta) 500mW (Ta) Oberflächenmontage PG-SOT23-3-5
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	BSS126IXTSA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	SIPMOS®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal, Verarmungsmodus
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	21mA (Ta)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	500Ohm bei 16mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,7V bei 8µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	1.4 nC @ 5 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	21 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	500mW (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-SOT23-3-5
Gehäuse / Hülle	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis-Produktnummer	BSS126