Name: BSC023N08NS5SCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSC023N08NS5SCATMA1TR-ND
Price: 4.3316 EUR
Availability: OutOfStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

BSC023N08NS5SCATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-BSC023N08NS5SCATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-BSC023N08NS5SCATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-BSC023N08NS5SCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	BSC023N08NS5SCATMA1
Beschreibung	TRENCH 40<-<100V
Standardlieferzeit des Herstellers	52 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 80 V 202 A (Tc) 188W (Tc) Oberflächenmontage PG-WSON-8-2
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	BSC023N08NS5SCATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 5
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	80 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	202 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	6V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	2,3mOhm bei 50A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,8V bei 115µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	98 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	6800 pF @ 40 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	188W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-WSON-8-2
Gehäuse / Hülle	8-PowerWDFN
Basis-Produktnummer	BSC023