Name: AUIRF7769L2TR
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-AUIRF7769L2TR-ND
Price: 10.7933 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

AUIRF7769L2TR
DigiKey-Teilenr.	448-AUIRF7769L2TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-AUIRF7769L2TRCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-AUIRF7769L2TRDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	AUIRF7769L2TR
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 375A DIRECTFET
Standardlieferzeit des Herstellers	22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 375 A (Tc) 3,3W (Ta), 125W (Tc) Oberflächenmontage DirectFET™, isometrisch, L8
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	AUIRF7769L2TR Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	375 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	3,5mOhm bei 74A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	300 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	11560 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3,3W (Ta), 125W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	DirectFET™, isometrisch, L8
Gehäuse / Hülle	DirectFET™, isometrisch, L8
Basis-Produktnummer	AUIRF7769