Name: IS20M028S1C
Brand: iDEAL Semiconductor
SKU: 6500-IS20M028S1CTR-ND
Price: 3.6771 EUR
Availability: InStock

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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IS20M028S1C
DigiKey-Teilenr.	6500-IS20M028S1CTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 6500-IS20M028S1CCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 6500-IS20M028S1CDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	iDEAL Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	IS20M028S1C
Beschreibung	MOSFET N-CH 200V 45A PDFN-8
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 200 V 45 A (Tc) 125W (Tc) Oberflächenmontage 8-PDFN (5x6)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 125mOhm bei 11,6A, 10V
Herst. iDEAL Semiconductor	Vgs(th) (max.) bei Id 4,1V bei 70µA
Serie SuperQ™	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 36 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2451 pF @ 100 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 125W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 45 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten 8-PDFN (5x6)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Gehäuse / Hülle 8-PowerDFN