Name: GT800N10D3
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 4822-GT800N10D3TR-ND
Price: 0.08223 EUR
Availability: InStock

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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

GT800N10D3
DigiKey-Teilenr.	4822-GT800N10D3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller	Goford Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	GT800N10D3
Beschreibung	MOSFET,N-CH,100V,7.5A,19W,DFN3*3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 7,5 A (Tc) 19W Oberflächenmontage 8-DFN (3x3)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Goford Semiconductor
Serie	SGT
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	7,5 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V, 4,5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	80mOhm bei 3A, 10V
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	36 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2150 pF @ 15 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	19W
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-DFN (3x3)
Gehäuse / Hülle	8-PowerVDFN