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Marketplace-Produkt
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
G3R350MT12J | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 1913-G3R350MT12J-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | G3R350MT12J |
Beschreibung | SIC MOSFET N-CH 11A TO263-7 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 1200 V 11 A (Tc) 75W (Tc) Oberflächenmontage TO-263-7 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | G3R350MT12J Modelle |
Produkteigenschaften
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Nur verfügbar bis | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1200 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 15V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 420mOhm bei 4A, 15V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 2,69V bei 2mA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 12 nC @ 15 V | |
Vgs (Max.) | ±15V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 334 pF @ 800 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 75W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 175°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Oberflächenmontage | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | TO-263-7 | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
Letzte Kaufgelegenheit
Verfügbar bis: 31.05.2026
Menge
Alle Preise in EUR
Stange
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1.000 | 3,16271 € | 3.162,71 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 3,16271 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 3,76362 € |
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