GA100JT12-227
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

G3R20MT17N

DigiKey-Teilenr.
1242-G3R20MT17N-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
G3R20MT17N
Beschreibung
SIC MOSFET N-CH 100A SOT227
Standardlieferzeit des Herstellers
20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 1700 V 100 A (Tc) 523W (Tc) Chassisbefestigung SOT-227
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1700 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
15V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
26mOhm bei 75A, 15V
Vgs(th) (max.) bei Id
2,7V bei 15mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
400 nC @ 15 V
Vgs (Max.)
±15V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
10187 pF @ 1000 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
523W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Chassisbefestigung
Gehäusetyp vom Lieferanten
SOT-227
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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