GE12160CEA3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
GE12160CEA3
GE12160CEA3
GE12160CEA3

GE17140CEA3

DigiKey-Teilenr.
4014-GE17140CEA3-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
GE17140CEA3
Beschreibung
SIC 2N-CH 1700V 1275A MODULE
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
MOSFETs - Arrays 1700V (1,7kV) 1,275kA 3,75kW Chassisbefestigung Modul
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Hersteller
GE Aerospace
Serie
Verpackung
Lose im Beutel
Status der Komponente
Aktiv
Technologie
Siliziumkarbid (SiC)
Konfiguration
2 N-Kanal (Halbbrücke)
FET-Merkmal
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1700V (1,7kV)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
1,275kA
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
-
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 480mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
3621nC bei 18V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
82nF bei 600V
Leistung - Max.
3,75kW
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Qualifizierung
AEC-Q101
Montagetyp
Chassisbefestigung
Gehäuse / Hülle
Modul
Gehäusetyp vom Lieferanten
Modul
Basis-Produktnummer
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