Name: GE12160CEA3
Brand: GE Aerospace
SKU: 4014-GE12160CEA3-ND
Price: 9043.643 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

GE12160CEA3
DigiKey-Teilenr.	4014-GE12160CEA3-ND
Hersteller	GE Aerospace
Hersteller-Teilenummer	GE12160CEA3
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 1200V 1.425KA MODUL
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 1,425kA (Tc) 3,75kW Chassisbefestigung Modul
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	GE Aerospace
Serie	SiC Power
Verpackung	Lose im Beutel
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	Siliziumkarbid (SiC)
Konfiguration	2 N-Kanal (Halbbrücke)
FET-Merkmal	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200V (1,2kV)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	1,425kA (Tc)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1,5mOhm bei 475A, 20V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,5V bei 480mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	3744nC bei 18V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	90000pF bei 600V
Leistung - Max.	3,75kW
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Chassisbefestigung
Gehäuse / Hülle	Modul
Gehäusetyp vom Lieferanten	Modul
Basis-Produktnummer	GE12160