GE17080CDA3
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GE17080CDA3
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GE17080CDA3

GE17080CDA3

DigiKey-Teilenr.
4014-GE17080CDA3-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
GE17080CDA3
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 1700V 765A MODULE
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
MOSFETs - Arrays 1700V (1,7kV) 765 A 2350W Chassisbefestigung Modul
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Hersteller
GE Aerospace
Serie
Verpackung
Lose im Beutel
Status der Komponente
Aktiv
Technologie
Siliziumkarbid (SiC)
Konfiguration
2 N-Kanal (Halbbrücke)
FET-Merkmal
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1700V (1,7kV)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
765 A
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
2,23mOhm bei 765A, 20V
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 160mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
2414nC bei 18V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
58000pF bei 900V
Leistung - Max.
2350W
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Qualifizierung
AEC-Q101
Montagetyp
Chassisbefestigung
Gehäuse / Hülle
Modul
Gehäusetyp vom Lieferanten
Modul
Basis-Produktnummer
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