Name: FDPF55N06
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 2156-FDPF55N06-ND
Price: 1.32585 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

FDPF55N06
DigiKey-Teilenr.	2156-FDPF55N06-ND
Hersteller	Fairchild Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	FDPF55N06
Beschreibung	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 55 A (Tc) 48W (Tc) Durchkontaktierung TO-220F-3
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Fairchild Semiconductor
Serie	UniFET™
Verpackung	Lose im Beutel
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	55 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	22mOhm bei 27,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	37 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1510 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	48W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220F-3
Gehäuse / Hülle	TO-220-3 voller Pack