Name: FDG311N
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 2156-FDG311N-ND
Price: 0.30834 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

FDG311N
DigiKey-Teilenr.	2156-FDG311N-ND
Hersteller	Fairchild Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	FDG311N
Beschreibung	MOSFET N-CH 20V 1.9A SC88
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 20 V 1,9 A (Ta) 750mW (Ta) Oberflächenmontage SC-88 (SC-70-6)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Fairchild Semiconductor
Serie	PowerTrench®
Verpackung	Lose im Beutel
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	1,9 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	2,5V, 4,5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	115mOhm bei 1,9A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id	1,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	4.5 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)	±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	270 pF @ 10 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	750mW (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	SC-88 (SC-70-6)
Gehäuse / Hülle	6-TSSOP, SC-88, SOT-363