Name: DI006P02PW
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 4878-DI006P02PWTR-ND
Price: 0.7259 EUR
Availability: InStock

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DI006P02PW
DigiKey-Teilenr.	4878-DI006P02PWTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 4878-DI006P02PWCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 4878-DI006P02PWDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Diotec Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	DI006P02PW
Beschreibung	MOSFET POWERQFN 2X2 P -20V -6A 0
Standardlieferzeit des Herstellers	8 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 20 V 6 A (Tc) 2W (Tc) Oberflächenmontage 8-QFN (2x2)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	DI006P02PW Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Diotec Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	6 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	2,5V, 4,5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	25mOhm bei 6A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id	1V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	13 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)	±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1242 pF @ 10 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-QFN (2x2)
Gehäuse / Hülle	8-PowerUDFN
Basis-Produktnummer	DI006P02

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