Name: ZXMN6A25GTA
Brand: Diodes Incorporated
SKU: ZXMN6A25GTATR-ND
Price: 1.666 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

ZXMN6A25GTA
DigiKey-Teilenr.	ZXMN6A25GTATR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) ZXMN6A25GTACT-ND - Gurtabschnitt (CT) ZXMN6A25GTADKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	ZXMN6A25GTA
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 4.8A SOT223
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 4,8 A (Ta) 2W (Ta) Oberflächenmontage SOT-223-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	ZXMN6A25GTA Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Diodes Incorporated
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	4,8 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	50mOhm bei 3,6A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	1V bei 250µA (Min)
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	20.4 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1063 pF @ 30 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 155°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	SOT-223-3
Gehäuse / Hülle	TO-261-4, TO-261AA
Basis-Produktnummer	ZXMN6