Name: ZVN3310ASTZ
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-ZVN3310ASTZTB-ND
Price: 0.833 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

ZVN3310ASTZ
DigiKey-Teilenr.	31-ZVN3310ASTZCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 31-ZVN3310ASTZTB-ND - Band & Box (TB)
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	ZVN3310ASTZ
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 200MA E-LINE
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 200mA (Ta) 625mW (Ta) Durchkontaktierung E-Line (TO-92-kompatibel)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Diodes Incorporated
Serie	-
Verpackung	Gurtabschnitt (CT) Band & Box (TB)
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	200mA (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	10Ohm bei 500mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,4V bei 1mA
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	40 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	625mW (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	E-Line (TO-92-kompatibel)
Gehäuse / Hülle	E-Line-3
Basis-Produktnummer	ZVN3310