Name: DMTH10H1M5STTW-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH10H1M5STTW-13TR-ND
Price: 5.9976 EUR
Availability: InStock

Neues Produkt

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DMTH10H1M5STTW-13
DigiKey-Teilenr.	31-DMTH10H1M5STTW-13TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 31-DMTH10H1M5STTW-13CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 31-DMTH10H1M5STTW-13DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	DMTH10H1M5STTW-13
Beschreibung	MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10
Standardlieferzeit des Herstellers	24 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 386A (Tc) 4,92W (Ta), 535,7W (Tc) Oberflächenmontage PowerDI1015-16
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Diodes Incorporated
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	386A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	6V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1,7mOhm bei 20A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	214 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	13039 pF @ 50 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	4,92W (Ta), 535,7W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PowerDI1015-16
Gehäuse / Hülle	16-poliges PowerSOP-Modul