Name: DMTH10H032LFVWQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH10H032LFVWQ-13-ND
Price: 1.0591 EUR
Availability: InStock

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DMTH10H032LFVWQ-13
DigiKey-Teilenr.	31-DMTH10H032LFVWQ-13-ND
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	DMTH10H032LFVWQ-13
Beschreibung	MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI33
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 26 A (Tc) 1,7W (Ta) Oberflächenmontage, benetzbare Flanke PowerDI3333-8 (SWP) Typ UX
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Diodes Incorporated
Serie	-
Verpackung	Lose im Beutel
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	26 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	30mOhm bei 10A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	11.9 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	683 pF @ 50 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	1,7W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage, benetzbare Flanke
Gehäusetyp vom Lieferanten	PowerDI3333-8 (SWP) Typ UX
Gehäuse / Hülle	8-PowerVDFN
Basis-Produktnummer	DMTH10

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